mos物理器件基础总结 第1篇

答：对于给定温度下的Vth可以近似看作一个恒定值，但是对于高精度要求的情况下，Vth并不是一个可靠的数值。

8、怎样理解MOS管的截止区、深线性区、线性区（三极管区）、饱和区？

截止区：是对于而言的，对于S端接地，可以看作当,若S端不是0电位，则为。

深线性区：是对于而言的，此时默认，有,深线性区可以看作一个压控电阻。

线性区：又称三极管区，也是对而言的，有Vds≤Vgs-Vth

饱和区：也是对而言的，若，则称此时，MOS管进入饱和区。

mos物理器件基础总结 第2篇

即我们要选用更小的有效沟道长度的器件，缩小栅氧化层的厚度

原因：

但是我们要知道什么东西都不是无限制的，首先，随着制成的不断微缩，各种二级效应越来越明显使栅控能力下降。为了提高栅控能力就得使栅电容提高，我们知道栅电容与厚度成反比，所以栅氧化层的物理厚度就要很薄。但是物理厚度一直减薄下去到了极限就会发生量子隧穿效应，栅极漏电增加。

mos要正常工作首先是不能让里面的漏源与衬底或者阱产生二极管正向偏置，首先现代集成电路常采用P衬底工艺（具体原因），所以对于NMOS来说我们需要将它的衬底接地，对于PMOS来说我们要将它的阱接VDD

mos物理器件基础总结 第3篇

注意：此处可以看出，为交流小信号的放大倍数。反应了栅压对沟道电流的控制能力。

的计算公式如下：

注：、、、为四个变量。

mos物理器件基础总结 第4篇

标准CMOS工艺：就是在同一块衬底上集成NMOS和PMOS,比如在一块p衬底可以先做一个nmos然后再做一个N阱，再在N阱中掺入p+区形成PMOS，如下图所示：

问题：NMOS的衬底和PMOS的衬底可以分别接不同电位吗？

答：对于NMOS而言，所有衬底都接在一起，一般接地，对于PMOS而言，由于N阱可以隔离，故PMOS的衬底可以接不同电位。

深N阱工艺：就是在p衬底上，通过掺杂形成一个深N然后再形成一个P阱，制作NMOS，可以实现器件隔离的作用，同时提高了电路的性能，缺点是电路面积增大、费用较高。