镀膜工作总结 第一篇

PVD镀膜工艺PVD镀膜工艺

1.装饰件材料（底材）

(1)金属。不锈钢、钢基合金、锌基合金等。(2)玻璃、陶瓷。

(3)塑料。abs、pvc、pc、sheet、尼龙、水晶等。

(4)柔性材料。涤纶膜、pc、纸张、布、泡沫塑料、钢带等。2.装饰膜种类

(1)金属基材装饰膜层：tin、zrn、tic、crnx、ticn、crcn、ti02、al等。(2)玻璃、陶瓷装饰膜层：tio2、cr2o3、mgf2、zns等。(3)塑料基材装饰膜层：ai、cu、ni、si02、ti02、ito、mgf2。(4)柔性材料装饰膜层：al、lto、ti02、zns等。3.部分金属基材装饰膜颜色

金属基材装饰膜的种类和色调很多。表1为部分金属基材装饰膜的种类及颜色。

表1 部分金属基材装饰膜的种类及颜色膜层种类 色 调 tinx 浅黄、金黄、棕黄、黑色 tic 浅灰色、深灰色 ticxny 赤金黄色、玫瑰金色、棕色、紫色 tin+ au 金色 zrn 金黄色 zrcxny 金色、银色 tio2 紫青蓝、绿、黄、橙红色 crnx 银白色 tixal-nx 金黄色、棕色、黑色 tixzral-nx 金黄色

3.装饰膜的镀制工艺 一．金属件装饰膜镀制工艺

比较成熟的镀膜技术有电弧离子镀、磁控溅射离子镀和复合离子镀。下面分别从各类镀膜技术中选取一种具有代表性的典型镀制工艺进行介绍。

1)用电弧离子镀的方法为黄铜电镀亮铬或镍手表壳镀制ticn膜。采用小弧源镀膜机和脉冲偏压电源；(1)工件清洗、上架、入炉

工件在入炉之前要经过超声波清洗、酸洗和漂洗三道工序。

首先是在超声波清洗槽中放入按使用要求配制的金属清洗剂，利用超声波进行脱脂、清洗。清洗之后，进行酸洗，它可以中和超声波清洗时残余的碱液，还能起到活化处理的作用。然后进行漂洗以彻底除去酸液，漂洗时必须采用去离子纯净水或蒸馏水。经过三洗后，即时进行烘干，温度一般控制在100℃左右，时间为1h左右。也可以风吹干后马上人炉。

(2)镀膜前的准备工作

①清洁真空镀膜室。用吸尘器将真空镀膜室清洁一遍。当经过多次镀膜时，真空镀膜室的内衬板还需作定期清洗，一般是半个月清洗一次。

②检查电弧蒸发源。工作前，要确保电弧蒸发源发源安装正确，绝缘良好，引弧针控制灵活,程合适，恰好能触及阴极表面。

③检查工件架的绝缘情况。工件架与地之间的绝缘必须须良好，负偏压电源与工件架的接触点点必须接触良好。

以上几项工作确保没有问题后，才可以关闭真空镀膜室的门，进行抽气和镀膜。

(3)抽真空

真空抽至 x 10-3pa。开始是粗抽，从大气抽至5pa左右，用油扩散泵进行细抽。在粗抽时，可以烘烤加热至150℃。伴随镀膜室温度的升高，器壁放气会使真空度降低，然后又回升，等到温度回升到 x 10-3pa时方可进行镀膜工作。

(4)轰击清洗 ①氩离子轰击清洗

真空度：通人高纯度氩气()真空度保持在2～3pa。轰击电压：800～1000v。轰击时间：10min.此刻在真空镀膜室内发生辉光放电，放电产生的氩离子以较高的能量撞击工件表面，将工件表面吸附的气体、杂质和工件表面层原子溅射下来，露出材料的新鲜表面。

②钛轰击

真空度：通人高纯度氩气使真空度保持在2 x 10-2pa。脉冲偏压：400～500v，占空比20%。电弧电流：60～80a，轮换引燃电弧蒸发源，每个电弧蒸发源引燃1～2min。

(5)镀膜 ①镀钛

真空度：通人高纯度氩气，真空度保持在2 x 10-2pa。脉冲偏压：200～300v，占空比50 %。电弧电流：60～80a，引燃全部弧源，时间2～3min.②镀ticn 真空度：通人高纯度氮气使真空度保持在(3～8)x 10-1pa，然后再逐渐加大c2h2气体，随着c2h2气体量增大，色泽由金黄一赤金黄一玫瑰金一黑色变化。控制n2与c2h2两种气体的比例可以达到预定的色度。

电弧电流：50～70a。脉冲偏压：100～150v，占空比60 %～80 %。沉积温度：200℃左右。镀膜时间：10～20min，膜层厚度～μm。

(6)冷却

镀膜工序结束后，首先关闭电弧电源和偏压电源，然后关闭气源、停转架。工件在真空镀膜室内冷却至80～100℃时，向镀膜室内充大气，取出工件。

2)用磁控溅射离子镀技术为黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制zrn膜。采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源，以及脉冲偏压电源。

(1)抽真空

5 x 10-3～ x 10-13pa本底真空。加热温度应在真空室器壁放气后又回升到100～150℃。

2)轰击清洗

真空度：通人氩气真空度保持在2～3pa。轰击电压：800～1000v，脉冲占空比20%。轰击时间：10min。

(3)镀膜 ①沉积锆底层

真空度：通入氩气，真空度保持在s x lo-1pa。靶电压：400—550v，靶功率15 n 30w/crrr2。脉冲偏压：450～500v，占空比20 %。镀膜时间：5～10min。

②镀zrn膜

真空度：通入氮气，真空度保持在(3～5)x 10-1pa。靶电压：400～550v，靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压：150～200v，占空比80 %。镀膜时间：20～30min。由于磁控溅射技术中金属离化率低，不容易进行反应沉积，获得化合物膜层的工艺范围比较窄。可采用气体离子源将反应气体离化，扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源，柱状弧源还是辅助镀膜源。

(4)冷却

镀膜结束后，首先关闭磁控溅射靶电源、偏压电源，然后关闭气源、停转架。工伫件在真空镀膜室中冷却到100℃时，向镀膜室充大气，取出工件。

3)用复合涂层离子镀方法为黄铜电镀亮镍的手表壳镀制tin十au+ si02膜。采用电弧、磁控溅射、中频或射频溅射离子镀多功能镀膜机，在真空镀膜室壁上安装6个小平面弧源钛靶镀tin，中心安装柱状磁控溅射黄金靶镀金，壁上安装2个矩形平面磁控溅射si02靶或si靶镀si02。采用直流偏压电源。

(1)工件清洗、上架、入炉。方法同前。

(2)抽真空：本底真空最好达到 x 10-3pa，烘烤加热温度为150℃左右。(3)轰击清洗。方法同前，包括氩轰击和钛轰击两种方法。(4)镀膜 ①沉积钛底层

真空度：通入高纯氩气，真空度保持在5 x 10-2pa。电弧电流：50～70a，引燃全部弧源，时间为2～3min。偏压：400～500v。

②沉积tin膜

真空度：通入高纯氮气，真空度保持在s x lo-1pa。偏压：100～200vo电弧电流：60～80a。沉积时间：10～20min，膜层厚度～μm。

③掺金镀

真空度：通入高纯氮气，真空度保持在5 x 10-2pa。偏压：100～150v。电弧电流：60a(真空镀膜室上、中、下各点燃1个源)。磁控溅射金靶电压：400—500v，电流3～5a;时间：1min。

④镀金

真空度：通入氩气，真空度保持在3 x 10-1pa。偏压：100～150v。溅射靶电压：400～550v。时间：5-10min。

⑤沉积si02 真空度：通入高纯氩气，真空度8 x 10-2pa或5x 10-1pa。中频（射频）电源功率：200～500w。时间：10～20min。

4)冷却：首先关闭中频（或射频）电源，然后关气源，停转架。工件在真空室内冷却到80-100℃时，向真空室充空气，取出工件。该工艺也叫掺金镀或ipg，最后一层si02是透明的，是保持金膜的，它可以延长金膜的磨损时间，根据客户的要求可有可无。

二．塑料件装饰膜的镀制工艺 采用pvd技术可在玻璃、陶瓷、塑料、水晶、木材、纸张等非金属工件上镀制金属膜及氮化膜、氧化膜。此处重点介绍塑料制品装饰膜的镀制技术，塑料制品镀金属膜的工艺也称塑料金属化。

为了填充塑料制品毛坯上的缺陷，提高表面光亮度和塑料与金属膜的结合力，在镀膜之前需要上底漆。为保护膜层还需上面漆。底漆、面漆由溶剂、树脂、助剂组成，按比例、顺序加入，混合搅拌。底漆、面漆一般采用溶剂型涂料，近几年出现了紫外线硬化涂料，它可以扩展塑料制品的应用领域。

塑料制品装饰膜的pvd技术有两种：真空蒸发镀和磁控溅射镀。真空蒸发镀设备结构简单、操作简便并且生产效率高，是目前广泛采用的塑料件的镀膜技术。

1)塑料制品装饰膜的真空蒸发镀工艺

一般塑料制品的真空蒸发镀膜机有卧式和立式双室（蚌形）两种。镀膜的工艺流程是：清洗脱脂——上架——涂底漆一固化——蒸发镀膜一涂面漆一固化——下架一染色——检验。

下面具体介绍镀膜的流程。(1)来料检验。

(2)干燥。待镀件来料时含较多水分，需进行干燥处理3～5h，温度为50～60℃。

3)上架。一般注塑时基本按真空镀膜要求生产，因此待镀件表面一般油污较少，经过一般的擦拭就可上架，但是来料油污多时需进行去污处理。方法是用市售洗洁剂逐件刷洗、漂洗、烘干。油污严重时还需用清洗剂在50～60℃，浸泡15～20min进行脱脂处理。

(4)除尘。这道工序是保证镀膜质量的关键之一，方法有两种：一种是用吸尘器对准上好架的待镀件仔细地除尘，能取得较理想的效果；另一种是用高压气“吹尘”的方法，这种方法必须装有油水分离器，但在实际工作中这种方法并不是很理想；还有一种方法是用静电除尘的方法，对质量要求较高时采用。

(5)涂底漆。涂底漆是保证镀膜质量的关键之二，涂底漆的目的是提高镀件表面的光洁度和光亮度；提高膜层结合力。

(6)烘干。涂漆流平后需进行干固处理，方法有红外线加热法、电热加热法及紫外线(uv)固化法等。固化温度为60～70℃，固化时间为～。

(7)镀膜。镀膜是保证镀膜质量的关键。

镀膜前的准备工作：①钨丝的处理：一般采用φ的3根绞合钨丝，用金属清洗剂将钨丝浸泡20～30min，60～90℃进行脱脂之后，彻底地漂洗烘干备用；②铝丝的处理：用纯度为～的铝丝或铝箔制成的蒸发舟进行碱处理，将铝丝浸泡在10%～15%的naoh溶液中2～3min，进行水汝洗3-5次，烘干2h备用。镀膜操作：待镀件上架，并装上钨丝，然后入炉，检查接触是否良好，转动正常，关真空室。抽真空：油扩散泵已预热1h;开机械泵，开粗抽阀、进行粗抽3—5min;开罗茨泵，开真空计测量真空达2～；关粗抽阀，开前置阀，开高阀，进行细抽至(1～2)x 10-2pa即可蒸镀。真空度越高，膜层质量越好。

蒸镀：预熔的目的是除去铝丝、钨丝上的残余气体。此时，从真空计上可以看见真空度是下跌的，当真空由下跌转为上升，并回到本底真空时，可进行蒸发。蒸铝：作为装饰膜蒸铝时的真空控制在(1～2)x 10-2pa，蒸发采用快速蒸发可减少氧化概率，又不会使膜层的组织结构变粗；因而，可减少散射损失，提高反射率。

冷却充气：蒸铝以后，即可充气出炉。

(8)涂面漆。保护金属膜层，为着色工序做准备。

(9)着色。面漆彻底固化后可进行染色处理。根据客户要求，将不同颜色按按一定的比例进行配制，常用的配制24k金可用黄粉、金粉和红粉；配制黑色用黑粉、绿粉和蓝粉。为加强镀件的湿润性可加入1 %的冰乙酸，变色温度控制在60～70℃，不要超过80℃。

2)塑料件装饰膜的磁控溅射镀膜工艺：

塑料制品磁控溅射镀工艺流程及镀前、镀后处理与蒸发镀相同。(1)前处理。工件去油污，烘干去水。

(2)上底漆。烘干固化，固化温度为60—65℃。

(3)镀铝，也叫塑料表面金属化。采用柱状磁控溅射工艺镀铝。(4)上面漆。

(5)着色——冷染或热染。

镀膜工作总结 第二篇

郝乐彬 物理111近代物理实验 11180131 真空镀膜

预习报告

摘要：真空镀膜也叫物理气相沉积（PVD：physics vaporous deposit），它是利用某种物理过程，如物质的热蒸发或在受到粒子束轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质从源物质到薄膜的可控的原子转移过程。物理气相沉积技术中最为基础的两种方法就是蒸发法和溅射法。本实验中用到的是蒸发镀膜法来进行真空镀膜。从而了解真空镀膜的原理和操作。

关键词：真空镀膜

原子转移

气象沉积技术

蒸发法

言：真空镀膜也叫物理气相沉积（PVD：physics vaporous deposit），它是利用某种物理过程，如物质的热蒸发或在受到粒子束轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质从源物质到薄膜的可控的原子转移过程。物理气相沉积技术中最为基础的两种方法就是蒸发法和溅射法。在薄膜沉积技术发展的最初阶段，由于蒸发法相对溅射法具有一些明显的优点，包括较高的沉积速度，相对较高的真空度以及由此导致的较高的薄膜质量等，因此蒸发法受到了相对较大程度的重视。但另一方面，溅射法也具有自己的一些优势，包括在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制，沉积层对衬底的附着力较好等。同时，现代技术对于合金薄膜材料的需求也促进了各种高速溅射方法以及高钝靶材，高钝气体制备技术的发展，这些都使得溅射法制备的薄膜质量得到了很大的改善。如今，由于气相中各组分能够充分的均匀混合，制备的材料组分均匀，易于掺杂，制备温度低，适合大尺寸薄膜的制备，并且能够在形状不规则的衬底上生长薄膜等优点，不仅上述两种物理气相沉积方法已经大量应用于各个技术领域之中，而且为了充分利用这两种方法各自的优点，还开发出了许多介于上述两种方法之间的新的薄膜沉积技术。

 基本原理

真空镀膜是在真空室中进行的（一般气压低于×10-2Pa），当需要蒸发的材料（金属或电介质）加热到一定温度时，材料中分子或原子的热振动能量可增大到足以克服表面的束缚能，于是大量分子或原子从液态或直接从固态（如SiO

2、ZnS）汽化。当蒸汽粒子遇到温度较低的工件表面时，就会在被镀工件表面沉积一层薄膜。

以下仅就源加热方式、真空度对膜层质量的影响及蒸发源位置对薄膜均匀性的影响等问题作简要说明。

(a)(b)为电阻型源加热器，它们由高熔点的金属做成线圈状（称为丝源）或舟状（称为舟源）。加热源上可承载被蒸发材料。由于挂在丝源上的被蒸发物质（如铝丝）可形成向各个方面发射的蒸汽流，因此丝源可用为点源，而舟源则可近似围内发射的面源。对于不同的被蒸材料，可选取由不同材料做成，形状各异的加热器。其

1 郝乐彬 物理111近代物理实验 11180131 选取原则为：

a.加热器所用材料有良好的热稳定性，其化学性质不活泼，在达到蒸发温度时，加热器材料本身的蒸汽压要足够低。

b.加热器材料的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度，加热器要有足够大的热容量。c.要求线圈装加热器所用材料热能与蒸发物有良好的浸润，有较大的表面张力。d.被蒸发物与加热器材料的互溶性必须很低，不产生合金。

e.对于不易制成丝状，或被蒸发物与丝状加热器的表面张力较小时，可采用舟状加热器。日前常用钨丝加热器蒸发铝，用钼舟加热器蒸发银、金、硫化锌、氟化镁等材料，与电阻器配合的关键部件是低压大电流变压器，对不同的蒸发材料及加热器可将电流分配塞置于相应位置，以保证获得合适的功率。电阻源加热器具有简便、设备成本低等优点，但由于加热器与蒸发物在电阻加热器上的装载量不能太多，因此所蒸膜厚也将受到限制。图1(c)是一种电子束蒸发源的示意图。它是利用高电压加速并聚焦的电子束经磁偏转，在真空中直接打到蒸发源表面，使蒸发物表面的局部温度升高并溶化来实现真空沉积的。电子束可使熔点高达3000℃以上的材料熔化。电子束蒸发时，蒸发物中心局部熔融并为汽化时，其边缘部分仍处于固体状态，这样就可避免蒸发物与坩埚的反映，保证蒸发物不受沾污。（2）物质的蒸发速度

在一定的温度下，每种液体或固体物质都有特定的平衡蒸气压。只有当环境中被蒸发物 质的分压降低到它们的平衡蒸气压以下时，才可能有物质的净蒸发。单位源物质表面上物质 的净蒸发速率为（详细推导见参考文献2，P4）：

其中，Γ为单位物质表面的质量蒸发速度，M为分子或原子的相对原子质量，T 是气体的热力学温度，R 为气体常数，NA 为阿伏伽德罗（Avogadro）常数。由于物质的平衡蒸气压随着温度的上升增加很快，因而对物质蒸发速度影响最大的因素是蒸发源的温度。（3）真空度对膜层质量的影响。

真空镀膜对真空度的要求是出于以下两方面的考虑：

a.真空度足够高，可以使蒸汽分子以射线状从蒸发源向基体发射。这样可以使蒸发材料的利用率及沉积速率大大提高。在正常工作时要求真空室内气体分子的平均自由程比蒸发源到被镀基体的距离大得多。真空室内残余气体分子的平均自由程可以由下式表示：

其中，n 为单位体积内气本分子数，σ为气体分子的有效直径。此式表明，气体分子平均自 由程决定于单位体积内的分子数n，由于n 正比于气体压强P，因此λ与P 成反比，或者说，气体分子自由程与真空度成正比。一般要求气体分子平均自由程是源到基体距离（h）的2～3倍，因此对于h =20cm的真空镀膜机，要求其真空度为10帕至10帕。b.如果没有足够高度的真空度，真空室内的残余气体分子可能是很可观的。由空气动力学可

23郝乐彬 物理111近代物理实验 11180131 知，当气压为×10帕时,每平方厘米基体表面，每秒钟内，可有5×10个气体分子与其发生碰撞。由于残余气体中包含各种气体成份，尤其是氧等气体分子容易被基体吸附后改变膜层的结构和成份，因此在真空镀膜时必须保持一足够高的真空度。（4）蒸发源位置与薄膜的均匀性。

由理论分析可知，当一个点源放在一个半径为r 的球心位置时，则在整个球面上得到的沉积层厚度是均匀的。实际的蒸发源总有一定线度，不能看成理想的点源，因此球面上的淀积量不可能很均匀，线度越大，均匀性越差。此外，基体也不可能恰好是半径为r的球面，它们常常是一些平面或有特定曲率半径的曲面，这也影响了镀层的均匀性。为了使镀层有良好的均匀性，目前常用的方法是使载工件的平面绕图2 所示的oo'轴转动，把一小面源置于距中心为R 的位置上，这样可使均匀性得到改善。更精良的设计是将工件盘做成既能自转（绕o'轴），又能公转（绕o 轴）的行星盘结构（如图3 所示），这种结构对膜层的均匀性是更为有利的。

 实验部分

动手操作前认真学习讲义及有关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、操作程序与注意事项。

（1）准备基底：清洗载玻片，在洁净的载玻片上均匀涂上硅油。（2）镀膜室的清理与准备。先向钟罩内充气一段时间，然后升钟罩，装好基片、电极钨丝和铝丝，清理镀膜室（壁上的沉积物可以用丙酮清洗），降下钟罩。

（3）把需要蒸镀的材料银放入真空室中的钼舟中，并在真空室顶部装好基底，关好真空室。（4）开机械泵，开启复合真空计中的电偶计（注意电离计保持关闭状态）（5）间隔的拉动三通阀，使得储气桶和真空室的真空度底于。

（6）打开冷却水，加热油扩散泵越为40分钟。（在保证

4、5随即正常进行的前提下，4、6可以同时进行，以节省时间。否则必须在5进行后才能进行6。（7）将三通阀推至死点，开启高真空碟阀。

3 315郝乐彬 物理111近代物理实验 11180131（8）当热偶计示数小于0。1pa时，开启电离计，转向高真空测量。

（9）注意电离计示数的变化，同时电离计转换测量档。直到达到所需的压强为止（约为102103pa）。

（10）开启版面上的“镀膜”逐渐转动“灯丝—镀膜调节”加大电流，给钼舟电，钼舟渐渐发红，舟中的蒸发物开始液化，逐渐蒸发完。过几秒时间，关掉电流和镀膜开关。（11）关掉电离计，关碟阀。

（12）停止油扩散泵加热，关复合真空计。

（13）冷却数分钟之后，对真空室冲气，打开真空室，取出被镀样品。（14）关好真空室，对容器抽低真空3—5分钟。（15）在显微镜下观察液面薄膜。

（16）油扩散泵冷却至室温后，停止机械泵，切断水源和电源，全部工作完成。

 实验结果处理（实验数据

实验中最后得到的镀膜电流为40A，由于镀膜过程中包含金属锡丝熔化过程，且肉眼无法直接观察真空室内金属锡丝,只能定性的观察红光或者从侧面已成膜的地方观察,因而40A可能并不是真正的镀膜电流，是靠主观定性观察所得。

下面为实验镀膜情况

5 实验结论

实验中完成真空的获得后，开始镀膜，慢慢调大镀膜电流，发现真空室慢慢出现红光，观察到红光被部分遮挡或者从侧面看出现类似镜子侧面的紫光时，镀膜完成。第一次实验失败，发现玻片上只有很薄的镀膜痕迹，经过分析，原因在控制镀膜电流时操之过急，导致金属锡丝没有全部熔化，熔断后掉落在真空室中。第两次实验大致成功，分析镀膜成果（见实验数据中的图片），发现镀膜比较清晰，厚度可以，只是出现不均匀现象。经分析我认为，原因是在放置金属锡丝的使用，钨丝一侧较多，一侧比较少，加之金属锡丝是线性的，导致镀膜出现不均匀的现象。

4 郝乐彬 物理111近代物理实验 11180131 实验所得镀膜电流为40A，由于镀膜过程中包含金属锡丝熔化过程，且肉眼无法直接观察真空室内金属锡丝,只能定性的观察因而40A可能并不是真正的镀膜电流，是靠主观定性观察所得。

本实验在上个学期的实验基础上，加上了镀膜部分，总体思想是学习一种方法，见识一项工艺，领会一门技术。通过实验，我们大致了解了实验中的各项操作，明白了各步实验操作的目的，对于实验理论的理解也更加深刻了。

镀膜工作总结 第三篇

镀膜员工试题库填空题: 1.关机时,关掉扩散泵加热，需要冷却 60分种以上 时间才可以关掉总电源

2.我们正常镀膜过程中镜片需要镀膜的一面应该向 下 放置。

3、写出+XP的意思 向正方向调X方向位置

4.新科隆机SID1100中生产IR CUT滤色片,每层开镀时, TiO2 材料的起始光控曲线方向向上, SiO2 材料的光控曲线方向向下。

5.新科隆机SID1100中的离子源,有 3 片栅极,从上到下依次为 TOP , MID , BOT;栅极间总共有 12 片陶瓷片绝缘.6.现在我们使用的镀膜机光学控制方式有 反射 式和 透射 式 两种,昭和机属于 透射 式新科隆机属于 反射式，光驰机属于反射 式。

7.相同蒸发条件下，饼料的SIO2，和颗粒状的SIO2，饼料的SiO2 所需的蒸发功率要高。

8.比较下列膜料正常蒸发功率，由大到小排列： MgF2 H4 SiO2 H4 > SiO2 > MgF2

9.选择下列光学原理： a、光的反射原理 b、光的折射原理 c、光的干涉原理 d、光的投射原理（1）看到水中筷子是弯曲的,利用光的 b（2）看到镜子里自已像，利用光的 a（3）光学薄膜利用光的 c

10.真空可以大致分为四段，分别为 初真空、低真空、高真空、超高真空

11.在真空的定义范围内，高真空度范围是 10-1-10-6 Pa

14．目前我们镀膜机有两种厚度控制方法： 晶振控制 和 光控控制、15．昭和机器在没有放光控监控片下镀膜时，光控曲线 直线 形状

16、报警程序中PFC报警，其中PFC含义： POLYCOLD

17、当扩散泵指示灯闪烁时说明扩散泵还在加热 中，还不能打开高阀。

18、当扩散泵指示灯不闪烁时说明扩散泵已 加热完成，可以正常工作。

19、写出-YS的意思 减少Y方向电子枪光斑大小

20、目前我们镀膜机抽真空系统由 机械泵、罗茨泵、扩散泵 组成21、镀膜机中,膜层厚度的记录单位是: 埃（A）, 与米(m)的换算关系是: 10-10 , 速率的单位是: A/、保持镀膜机开门时间尽可能的短，是为了防止真空室内部的护板吸附空气中的 水汽，使镀膜机的抽速变 慢，影响产品的品质。

23、薄膜微观结构是 柱状 结构，为了改善膜层结构，提高聚集密度，分别出现了三种成膜工艺 离子辅助、反应离子镀、溅射

镀膜工作总结 第四篇

真空镀膜设备及镀膜加工

真空镀膜工艺简介：

真空镀膜学名物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)，表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

九大类镀膜产品，包括多弧离子真空镀膜设备、磁控溅射真空镀膜设备、中频磁控真空镀膜设备、蒸发真空镀膜设备、光学真空镀膜设备、卷绕式真空镀膜设备、DLC真空镀膜机+工模具镀膜系列，AZO透明导电膜镀膜生产线和连续式磁控溅射镀膜生产线等。

镀膜工作总结 第五篇

试验室在公司的正确领导和具体指导下，从试验室工作的实际出发，紧紧围绕公司的中心工作开展活动，较好的完成公司布置的各项任务。以下是2011年9月试验室工作总结：

一、精神文明建设方面：

1、能够加强中心试验室人员政治思想教育、品德教育和业务培训，加强对员工的指导、检查和监督。全面提高科室人员整体素质，建立并实行科室工作规则。

2、执行文明办公制度，控制使用空调，制止浪费，厉行节约，提倡勤俭办事；积极参加大扫除，保持室内环境整洁。

二、职能作用发挥方面：

1、对试验室各项工作职责、管理制度、管理办法进行了完善。

2、全面落实日常试验配液任务，加强监督指导，做好车间服务。

3、严格执行公司有关试验的技术标准、规范、规程，及时、认真地做好各项基础试验资料。

三、制度执行方面：

1、遇重大问题及时逐级向上级请示报告，做到不瞒报、不虚报、不漏报。

2、严格考勤制度，认真执行上班签到制，不迟到、不

早退，有事要请假。

3、严格执行工作督办制度，及时保质完成领导临时交办任务。

四、存在问题：

由于公司实验室在过去一直是个临时机构，在管理和制度上都存在很多问题，这需要在今后的工作当中摸索经验，更好地完善和发展。试验室工作本身是属于技术含量较高的一项工作，在今后的学习生活当中，我要努力地提高自身的业务水平和思想作风，更好地为公司的发展服务。

镀膜工作总结 第六篇

各种镀膜机工作原理介绍

1．空心阴极离子镀原理

在本底真空为高真空的条件下，由阴极中通入氩器气（1-10-2）

在阴极与辅助阳极之间加上引弧电压，使氩气发生辉光放电，在空心阴极内产生低压等离子体放电，阴极温度升高到2300-2400K时，由冷阴极放电转为热阴极放电，开始热电子发射，放电转为稳定状态。通入反应气体，可以制化合膜。

2.测控溅射工作原理

先将真空室预抽至10-3Pa，然后通入气体（如氩气），气压为1-10 Pa时，给靶加负电压，产生辉光放电，电子在电场正作用下加速飞向基片时，与氩原子碰撞，电离出Ar和另一个电子；

轰击靶材，由二次电子电离的 越来越多，不断轰击靶材；磁场改变电子的运动方向，以电磁场束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高电子对工作气体的电离几率。

3.多弧离子镀工作原理

其工作原理为冷阴极自持弧光放电，其物理基础为场致发射。

被镀材料接阴极，真空室接阳极，真空室抽为高真空时，引发电极启动器，接触拉开，此时，阴极与阳极之间形成稳定的电弧放电，阴极表面布满飞速游动的阴极斑，部分离子对阴极斑的轰击使其变成点蒸发源，以若干个电弧蒸发源为核心的为多弧离子镀。

4.电阻蒸发式镀膜机

膜材即要镀的材料放于蒸发舟中，置于真空室中，抽到一定真空时，通过电阻加热膜材，使其蒸发，当蒸发分子的平均自由程大于蒸发源至基片的线性尺寸时，原子和分子从蒸发源中逸出后，到达基片形成膜。为了使膜厚均匀，可以利用电机带动基片旋转，并用膜厚仪控制膜厚，制出优质膜。

型枪工作原理

阴极灯丝加热后发射具有 EV初动能的热电子，这些热电子在灯丝阴极与阳极之间的电场作用下加速并会聚成束状。在电磁线圈的磁场中，电子束沿E x B的方向偏转，通过阴极时，电子的能量提高到10KV，通过阳极电子偏转270度角而入射坩埚内的膜材表面上，轰击膜材使其蒸发。

镀膜工作原理

将被镀件放在低压辉光放电的阴极上，通入适当气体，在一定温度下，利用化学反应和离子轰击相结合的过程，在工件表面获得涂层。